涂层、显影和曝光!半导体光刻的这三个基本步骤使得能够制造更小且具有成本效益的电子设备。
在当今世界，由于光刻技术的重大创新，我们能够在日常生活中使用的设备中使用越来越小的电子产品，并从中受益，功能越来越多。另一方面，现代电子产品也受益于制造损失低的高效工艺
在光刻工艺中，需要光源来曝光掩模。光的较短波长和较低的数值孔径允许集成电路中的晶体管密度更高，从而最小化设备的尺寸并提高其性能。因此，该工艺的光刻制造系统普遍集成了市售的最短相干波长、低数值孔径的紫外激光源。
如果是激光光刻机制造商，就会知道，除了波长之外，还有其它参数，例如激光功率、激光器的稳定性和寿命，它们对产量质量起着重要影响。激光光刻工艺可能基于直写或掩模技术。无论使用何种技术，制造系统中激光源的特性都会导致吞吐量发生显着变化。激光光刻实现了具有高分辨率和无散斑吞吐量的快速曝光时间，并且制造质量会受到许多因素的影响。首先，光刻过程的有效操作严格取决于曝光时间内的光强度，即剂量。此外，激光源的输出功率应该非常稳定，以减少特征发生的变化。
对于更小尺寸的半导体制造，制造过程中的公差收紧，精确的激光功率和能量测量对于保持高质量的制造过程变得非常重要。在精确的激光束测量后确定较低的剂量要求可以提高生产率并延长激光光刻系统中光学元件的寿命。此外，激光器的稳定性是实现高均匀性的另一个重要参数，因为在使用不稳定的激光束的情况下，产量质量会受到影响。因此，通过验证基本激光参数来测量 UV 激光功率或诊断激光源对于增强光刻制造工艺至关重要。监测 UV 激光功率需要高度精确的激光功率检测器，该检测器需要在光谱的 UV 区域(从低功率到高功率)进行良好校准。
