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亚纳秒被动调Q激光器
PULSELAS-P-1064-100HE激光器

PULSELAS-P-1064-100HE ALPHALAS高能被动调Q微片固体激光器

PULSELAS-P-1064-100HE 激光器采用自研微芯片设计。整体式激光腔具备永久准直特性,因此稳定性极高。可输出1000μJ 的脉冲,脉冲宽度为900 ps,可实现微芯片激光器领域振荡器直出(无放大器),平均功率为 100 mW ,工作重复频率0.1 kHz。

ALPHALAS 可提供种类丰富的被动调 Q 激光器,脉冲宽度小于 1 ns,在 1064 nm 波段拥有极高峰值功率,且具备优良的 TEM₀₀ 光束剖面。

一、产品参数

型号 PULSELAS-P-1064-100HE①
波长 (nm)1064
单脉冲能量 (μJ,±10%)1000@100Hz
平均功率 (mW)typ.100@100Hz
脉宽 (ps)typ.900
重复频率 (kHz)0-0.1②
光束质量TEM₀₀
偏振比>100:1
光束直径 (mm)0.3
发散角 (mrad 全角)typ.6
功率不稳定性 (% rms,1 小时)<2
散热片 / 工作温度 (℃)+18…+30
激光头尺寸40×52×140
驱动尺寸 / 型号LDF-30-P
       360×160×375
存储温度 (℃)-10…+50

① 高能及高功率型号。激光头为光纤泵浦方式;LDF-30-P 型号内置带驱动器的光纤耦合激光二极管。

② 内置触发与外触发均为标准配置。

二、应用范围

材料加工

微加工

超硬材料打标与切割(如金刚石)

非线性光学

超连续谱产生

时间分辨荧光测量

脱氧核糖核酸分析

激光雷达与激光测距

污染监测

激光诱导击穿光谱(LIBS)

炸药、内燃机及气体混合物点火

三、亚纳秒被动调Q DPSS微芯片激光器:PULSELAS®-P系列

型号 PULSELAS-P-1064-100PULSELAS-P-1064-200PULSELAS-P-1064-300-FCPULSELAS-P-1064-100HPPULSELAS-P-1064-400HPPULSELAS-P-1064-150HE
波长 (nm)106410641064106410641064
单脉冲能量 (μJ,±10%)6-10@5kHz6-10@5kHz15-20@5kHz120@1kHz400@100Hz1500@100Hz
平均功率 (mW)typ.100@10kHztyp.200@20kHztyp.300@20kHztyp.150@1kHztyp.40@100Hztyp.150@100Hz
脉宽 (ps)typ.800typ.800typ.800typ.900typ.1000typ.1100
重复频率 (kHz)typ.10typ.20typ.15max.2max.0.150-0.1
光束质量TEM₀₀TEM₀₀TEM₀₀TEM₀₀TEM₀₀TEM₀₀
偏振比>100:1>100:1>100:1>100:1>100:1>100:1
光束直径 (mm)0.30.30.30.40.40.3
发散角 (mrad 全角)typ.6typ.6typ.6typ.6typ.6typ.6
功率不稳定性 (% rms,1 小时)<2<2<2<2<2<2
散热片 / 工作温度 (℃)+18…+30+18…+30+18…+30+18…+30+18…+30+18…+30
激光头尺寸40×52×9040×52×9040×52×9040×52×14040×52×14040×52×140
驱动尺寸 / 型号LDD1-1T-D
105×65×100
LDD1-1T-D
105×65×100
LDD1-1T-D
105×65×200
LDF-30-P
360×160×375
LDF-30-P
360×160×375
LDF-30-P
360×160×375
存储温度 (℃)-10…+50-10…+50-10…+50-10…+50-10…+50-10…+50