BSI 光电探测器由黑硅光电二极管与固定增益跨阻放大器组成，在最高 20 MHz 带宽下实现最大化增益。
依托黑硅技术，BSI 光电探测器在 240 to 1000 nm 超宽光谱范围内具备约 90% 极高量子效率，覆盖 200 nm 起深紫外波段;常规硅光电二极管在此波段灵敏度衰减严重。
一、主要特点
大面积黑硅光电二极管，感光口径 2 × 2 mm
240 nm ~ 1000 nm 波段量子效率约 90 %
带宽：直流–400 kHz
放大器跨阻增益：1.0 × 10⁷ V/A
最大转换增益：7.3 × 10⁶ V/W @ 1010 nm
光谱响应范围：200 – 1100 nm
自由空间输入接口：1.035"-40 螺纹
带 UNC 8-32 与 M4 螺纹安装孔，适配公制、英制标准光学支架
二、技术规格
| LCA-S-400K-BSI | |
| 增益参数 | |
| 跨阻增益 | 1.0 × 10⁷ V/A（输出负载≥100 k Ω条件下） |
| 增益精度 | ± 1 %（电气精度） |
| 光电转换增益 | 典型值7.3 × 10⁶ V/W（1010 nm、输出负载≥100 k Ω） |
| 频率响应 | |
| 低频截止 | 直流DC |
| 高频截止（-3dB带宽） | 400 kHz |
| 增益平坦度 | ± 0.5 dB |
| 时域响应 | |
| 上升/下降时间（10%–90%） | 900 ns |
| 输入光电参数 | |
| 噪声等效功率NEP | 110 fW/√Hz（1010 nm、10 kHz测试条件） |
| 光饱和功率 | 1.37 µW @1010 nm |
| 输入失调补偿范围 | ± 300 nA，可调电位器调节 |
| 探测器规格 | |
| 探测器类型 | 黑硅光电二极管 |
| 感光有效面积 | 2 × 2 mm |
| 光谱响应范围 | 200 – 1100 nm |
| 峰值响应度 | 典型0.73 A/W @1010 nm |
| 输出电气参数 | |
| 输出电压范围 | –3 V ~ +10 V（负载≥100 k Ω） |
| 输出阻抗 | 50 Ω，建议匹配负载≥100 k Ω |
| 最大输出电流 | 30 mA，具备短路保护 |
| 输出噪声 | 典型2.0 mV均方根、18 mV峰峰值 |
| 输入法兰 | |
| 材质 | 1.4305不锈钢，镀镍处理 |
| 耦合环 | |
| 材质 | 1.4305不锈钢，玻璃珠喷砂哑光 |
| 供电要求 | |
| 供电电压 | ± 15 V（允许区间±14.5 V ~ ±16.5 V） |
| 工作电流 | ± 40 mA（电源额定输出建议≥±150 mA） |
| 壳体 | |
| 整机重量 | 212 g |
| 壳体材质 | AlMg4.5Mn |
| 温度适用范围 | |
| 存储温度 | –30 °C ~ +85 °C |
| 工作温度 | 0 °C ~ +60 °C |
三、主要应用
光谱检测
通用光电测量
示波器、模数转换器、锁相放大器光学前端
四、对比：黑硅光电二极管与标准硅 PIN 光电二极管
| 光电二极管类型 | 黑硅光电二极管 | 标准硅PIN光电二极管 |
|---|---|---|
| 光谱响应范围 | 200 - 1100 nm | 320 - 1060 nm |
| 紫外量子效率 | 250 nm处约90 % | 250 nm处低于65 % |
| 可见光量子效率 | 约90 % | 约80-90 % |
| 角度响应特性 | 无角度依赖（入射角最高约70°） | 存在角度依赖 |
| 紫外响应灵敏度 | 优异 | 一般/受限 |
五、说明书
六、电路图
