HSPR-X-I-1G4-SI-FC光电探测器由 Si-PIN 光电二极管，以及 GHz 放大器组成，用于将微弱的光学信号转换为成比例的输出电压，具有 5.0 × 10³ V/A固定增益，并针对 1.4 GHz大带宽进行了优化。 FC 光纤连接器，具有高耦合效率与优异的转换增益精度。
一、主要特点
Si-PIN 光电二极管
带宽 10 kHz – 1.4 GHz
放大器跨阻增益 5.0 × 10³ V/A(反相)
最大转换增益 2.55 × 10³ V/W @ 760 nm
光谱范围 320 – 1000 nm
也可提供永久安装的 FC 光纤输入
UNC 8-32 和 M4 螺纹孔，可安装到公制与英制标准立柱上
二、产品参数
| HSPR-X-I-1G4-SI-FC | |
|---|---|
| 增益 | |
| 跨阻增益 | 5.0 × 10³ V/A (反相, @ 输出负载 50 Ω) |
| 转换增益 | 2.55 × 10³ V/W typ. (@ 760 nm, 输出负载 50 Ω) |
| 频率响应 | |
| 下限截止频率 (–3 dB) | 10 kHz |
| 上限截止频率 (–3 dB) | 1.4 GHz (±15 %) |
| 时间响应 | |
| 上升/下降时间 (10 % – 90 %) | 250 ps (±15 %) |
| 输入 | |
| 噪声等效功率 (NEP) | 19 pW/√Hz (@ 760 nm, 100 MHz) |
| 光学饱和功率 | 390 µW AC (线性放大, @ 760 nm) 10 mW CW (防止饱和, @ 760 nm) |
| 探测器 | |
| 探测器 | Si-PIN 光电二极管 |
| 有效面积 | 集成球透镜 (适用于纤芯直径 ≤ 400 µm 的光纤) |
| 光谱范围 | 320 – 1000 nm |
| 最大灵敏度 | 0.51 A/W typ. (@ 760 nm) |
| 输出 | |
| 输出电压范围 | 2.0 V 峰峰值 (@ 50 Ω 输出负载, 线性工作且低谐波失真) |
| 输出反射 S22 | –15.5 dB (@ f < 2.5 GHz) |
| 输出阻抗 | 50 Ω (以 50 Ω 负载端接) |
| 输出噪声 | 2.5 mV RMS (17 mV 峰峰值) typ. |
| 光学输入连接器 | |
| FC 插座材质 | 镍银 |
| 电源 | |
| 电源电压 | +15 V |
| 电源电流 | 150 mA |
| 外壳 | |
| 重量 | 110 g |
| 材质 | AlMg4.5Mn, 镀镍 |
| 温度范围 | |
| 存储温度 | –30 °C ... + 85 °C |
| 工作温度 | 0 °C ... +60 °C |
| 绝对最大额定值 | |
| 光输入功率 (连续波) | 12 mW (平均) |
| 电源电压 | 18.5 V |
| 连接器 | |
| 输入 | FC 光纤连接器 (固定/永久, 兼容 FC/PC 与 FC/APC) |
| 输出 | SMA 插孔 (母头) |
输出具有短路保护。配有 M4 与 8-32 螺纹安装孔，可用于标准安装立柱。通过 3 针 Lemo® 插座以 +15 V 供电。设备随附配套连接器。可选配 PS-15 电源。更多信息请查阅数据手册或联系我们。
三、数据手册
四、型号区别
HSPR-X-I-1G4-SI ： 采用相对较大的 0.4 mm 直径光电二极管，输入耦合要求不苛刻。但为确保接近 100% 的耦合效率，建议使用低数值孔径(NA)的标准 SM 9/125 光纤(PC 或 APC)。
HSPR-X-I-1G4-SI-FST ： 1.035"-40 螺纹法兰，带内螺纹耦合环(外径 30 mm)，用于自由空间应用。兼容多种光学标准配件，并可用于各类光纤连接器适配器。可选配：光纤适配器 PRA-FC、PRA-FCA 与 PRA-FSMA。
HSPR-X-I-1G4-SI-FC ： 固定/永久式 FC 光纤连接器，具有高耦合效率与优异的转换增益精度。
五、可选配件
| 电源 | PS-15-25-L |
| USB DAQ 与控制系统 | LUCI-M |
| USB 控制接口 | LUCI-10 |
| 光纤适配器 | PRA-FC PRA-FCA PRA-FSMA AT-W1 |
| 柱适配器板 | PRA-PAP |
| 连接器 | 连接器 |
| 低噪声电缆 | CAB-LN1 |
| 低电容电缆 | CAB-SC1 |
| 射频电缆 | CAB-HF1 |
六、电路图
七、应用范围
光谱学
超快脉冲与瞬态测量
光学触发
示波器与超快 A/D 转换器的光学前端
八、GHz光电接收器系列
| Model | HSA-X-S-1G4-SI-FST HSA-X-S-1G4-SI-FC | HSPR-X-I-1G4-SI-FST HSPR-X-I-1G4-SI-FC | HSA-X-S-2G-IN-FST HSA-X-S-2G-IN-FC | HSPR-X-I-2G-IN-FST HSPR-X-I-2G-IN-FC |
| Output | non-inverting | inverting | non-inverting | inverting |
| Photodiode | Ø 0.4 mm Si-PIN | Ø 0.4 mm Si-PIN | Ø 0.1 mm InGaAs-PIN | Ø 0.1 mm InGaAs-PIN |
| Spectral Range | 320 - 1000 nm | 320 - 1000 nm | 900 - 1700 nm | 900 - 1700 nm |
| Bandwidth (−3 dB) | 10 kHz – 1.4 GHz | 10 kHz – 1.4 GHz | 10 kHz - 2 GHz | 10 kHz - 2 GHz |
| Rise/Fall Time (10% - 90 %) | 250 ps | 250 ps | 180 ps | 180 ps |
| Transimpedance | 5 x 10³ V/A | 5 x 10³ V/A inverting | 5 x 10³ V/A | 5 x 10³ V/A inverting |
| Conversion Gain | 2.55 x 10³ V/W (@ 760 nm) | 2.55 x 10³ V/W (@ 760 nm) | 4.75 x 10³ V/W (@ 1550 nm) | 4.75 x 10³ V/W (@ 1550 nm) |
| NEP (@ 100 MHz) | 32 pW/√Hz (@ 760 nm) | 19 pW/√Hz (@ 760 nm) | 16 pW/√Hz (@ 1550 nm) | 11 pW/√Hz (@ 1550 nm) |
| Output VSWR | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 | 2.5 : 1 | 1.4 : 1 |
| Maximum Output Voltage @ 50 Ω | 1,9 VPP | 2.0 VPP | 1,9 VPP | 2.0 VPP |
| Output Noise | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS | 3.6 mVRMS | 2.5 mVRMS |
