HBPR-200M-30K-IN-FC 是一款InGaAs-PIN 光电二极管平衡光电探测器，用于测量范围的微小差模光电流或微小光差分功率。具有10 × 10³ V/A 和 30 × 10³ V/A 可切换增益，FC 光纤连接器，用于高耦合效率、优异的转换增益精度与共模抑制比(CMRR)。
一、主要特点
带宽 直流(DC)– 200 MHz
共模抑制比(CMRR)典型 50 dB
InGaAs-PIN 光电二极管
FC 光纤输入
波长范围 900 – 1700 nm
极低 NEP，低至 4.1 pW/√Hz
跨阻增益可切换 10 × 10³ V/A、30 × 10³ V/A
高达 2 × 10 mW 平衡光功率的高动态输入范围
带 10 MHz 带宽与 1 × 10³ V/A 增益的快速监视输出
可切换低通滤波器，用于抑制宽带噪声
UNC 8-32 与 M4 螺纹孔，用于安装于带公制与英制螺纹的标准立柱
二、产品参数
| HBPR-200M-30K-IN-FC | |
|---|---|
| 增益 | |
| 互阻抗增益 | 10 × 10³ V/A（第二级增益 ×2） 30 × 10³ V/A（第二级增益 ×6） 可切换（@ 50 Ω 负载） |
| 增益精度 | ±1 %（电学） |
| 转换增益 | 9.5 × 10³ V/W 典型（@ 第二级增益 ×2，1550 nm） 28.5 × 10³ V/W 典型（@ 第二级增益 ×6，1550 nm） |
| 共模抑制比（CMRR） | |
| 共模抑制比 | 55 dB 典型（f ≤ 100 MHz） 50 dB 典型（f ≤ 200 MHz） |
| 频率响应 | |
| 下限截止频率 | DC / 10 Hz，可切换 |
| 上限截止频率（–3 dB） | 200 MHz，可切换至 20 MHz |
| 时间响应 | |
| 上升/下降时间（10%–90%） | 1.75 ns 17.5 ns（低通滤波 20 MHz） |
| 输入 | |
| 噪声等效功率（NEP） | 最小 4.1 pW/√Hz（@ 1550 nm） 4.4 pW/√Hz（@ 1550 nm，20 MHz） 8.7 pW/√Hz（@ 1550 nm，100 MHz） 13.0 pW/√Hz（@ 1550 nm，200 MHz） |
| 最大差模连续波功率（线性放大） | 105 µW（@ 第二级增益 ×2，直流耦合，1550 nm） 35 µW（@ 第二级增益 ×6，直流耦合，1550 nm） 350 µW（@ 交流耦合，1550 nm） |
| 最大光平衡功率（共模功率） | 10 mW（每个光电二极管，@ 1550 nm） |
| 监视光饱和功率 | 10.5 mW（@ 1550 nm）（受线性放大限制） |
| 探测器 | |
| 探测器类型 | InGaAs-PIN 光电二极管，FC 光纤连接器 |
| 有效面积 | 直径 80 µm，集成球透镜，适用于芯径达 50 µm 的光纤 |
| 光谱范围 | 900 – 1700 nm |
| 灵敏度 | 0.95 A/W 典型（@ 1550 nm） |
| 输出 | |
| 输出电压范围 | ±1.0 V（@ 50 Ω 负载），线性工作且低谐波失真 |
| 最大输出电压 | ±2.0 V（@ 50 Ω 负载） |
| 失调电压补偿 | ±100 mV 典型，失调电位器可调 |
| 输出阻抗 | 50 Ω（以 50 Ω 负载端接） |
| 压摆率 | 2800 V/µs |
| 最大输出电流 | 70 mA |
| 输出反射 S22 | 30 dB @ < 100 MHz 20 dB @ < 800 MHz |
| 输出噪声 | 1.5 mV RMS（10 mVPP）（@ 第二级增益 ×2） 4.4 mV RMS（29 mVPP）（@ 第二级增益 ×6） 0.3 mV RMS（1.8 mVPP）典型（@ 第二级增益 ×2，带宽 20 MHz） 0.7 mV RMS（4.5 mVPP）典型（@ 第二级增益 ×6，带宽 20 MHz） （@ 50 Ω 负载，探测器无信号，测量带宽 2 GHz） |
| 监视输出 | |
| 增益 | 1 × 10³ V/A（@ ≥ 100 kΩ 负载） |
| 电压范围 | 0 … +10 V（@ ≥ 100 kΩ 负载） |
| 输出阻抗 | 50 Ω（以 ≥ 100 kΩ 负载端接） |
| 最大输出电流 | 30 mA 典型 |
| 带宽 | DC … 10 MHz |
| 输出噪声 | 0.6 mV RMS（4 mVPP） （@ 100 kΩ 负载，探测器无信号，测量带宽 200 MHz） |
| 电源 | |
| 电源电压 | ±15 V（±14.5 V … ±16.5 V） |
| 电源电流 | 90 / +120 mA （取决于工作条件，推荐电源能力至少 ±200 mA） |
| 外壳 | |
| 重量 | 350 g |
| 材料 | AlMg3Mn，镀镍 |
| 温度范围 | |
| 存储温度 | –40 °C … +85 °C |
| 工作温度 | 0 °C … +60 °C |
| 绝对最大额定值 | |
| 最大连续波功率（平均） | 12 mW（每个光电二极管） |
| 电源电压 | ±20 V |
| 连接器 | |
| 输入 | FC 光纤连接器（兼容 FC/PC 与 FC/APC） |
| 输出 | SMA 母座 |
三、数据手册
四、型号说明
HBPR-200M-30K-IN-FC 固定式/永久性 FC 光纤连接器，用于高耦合效率、优异的转换增益精度与共模抑制比(CMRR)。
五、可选配件
| 电源 | PS-15-25-L |
| USB DAQ 与控制系统 | LUCI-M |
| USB 控制接口 | LUCI-10 |
| 光纤适配器 | PRA-FC PRA-FCA PRA-FSMA AT-W1 |
| 柱适配器板 | PRA-PAP |
| 连接器 | 连接器 |
| 低噪声电缆 | CAB-LN1 |
| 低电容电缆 | CAB-SC1 |
| 射频电缆 | CAB-HF1 |
六、电路图
七、应用范围
光谱学
外差检测
光学相干层析成像(OCT)
光学延迟测量
用于示波器、频谱分析仪、A/D 转换器与 RF 锁相放大器的差分光前端
八、平衡光电探测器系列
| Model | HBPR-100M-60K-SI-FST HBPR-100M-60K-SI-FC | HBPR-200M-30K-SI-FST HBPR-200M-30K-SI-FC | HBPR-500M-10K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FC |
| Si-PIN photo diode | 0.8 mm Ø | 0.8 mm Ø | 0.4 mm Ø FC model with ball lens |
| Spectral Range | 320 - 1000 nm | 320 - 1000 nm | 320 - 1000 nm |
| Bandwidth (−3 dB) | DC - 100 MHz | DC - 200 MHz | DC - 500 MHz |
| Transimpedance Gain (switchable) | 2.0 x 10⁴ V/A 6.0 x 10⁴ V/A | 1.0 x 10⁴ V/A 3.0 x 10⁴ V/A | 5.0 x 10³ V/A 10.0 x 10³ V/A |
| Conversion Gain (switchable) | 10.8 x 10³ V/W typ. 32.4 x 10³ V/W typ. (@ 850 nm) | 5.4 x 10³ V/W typ. 16.2 x 10³ V/W typ. (@ 850 nm) | 2.55 x 10³ V/W typ. 5.1 x 10³ V/W typ. (@ 760 nm) |
| Minimum NEP | 6.5 pW/√Hz (@850 nm) | 7.8 pW/√Hz (@850 nm) | 12 pW/√Hz (@760 nm) |
| NEP (@ 20 MHz) | 7.4 pW/√Hz (@850 nm) | 8.8 pW/√Hz (@850 nm) | 13 pW/√Hz (@760 nm) |
| Common mode rejection (typ.) | 50 dB | 45 dB | 40 dB |
| Model | HBPR-100M-60K-IN-FST HBPR-100M-60K-IN-FC | HBPR-200M-30K-IN-FST HBPR-200M-30K-IN-FC | HBPR-450M-10K-IN-FST HBPR-500M-10K-IN-FC |
| InGaAs-PIN photo diode | 0.3 mm Ø (FST model), 80 µm Ø, ball lens (FC model) | ||
| Spectral Range | 800 - 1700 nm (FST model), 900 - 1700 nm (FC model) | ||
| Bandwidth (−3 dB) | DC - 100 MHz | DC - 200 MHz | DC - 450 MHz (FST) DC - 500 MHz (FC) |
| Transimpedance Gain (switchable) | 2.0 x 10⁴ V/A 6.0 x 10⁴ V/A | 1.0 x 10⁴ V/A 3.0 x 10⁴ V/A | 5.0 x 10³ V/A 1.0 x 10⁴ V/A |
| Conversion gain @ 1550 nm (switchable) | 19 x 10³ V/W typ. 57 x 10³ V/W typ. | 9.5 x 10³ V/W typ. 28.5 x 10³ V/W typ. | 4.75 x 10³ V/W typ. 9.5 x 10³ V/W typ. |
| Minimum NEP (@ 1550 nm) | 3.7 pW/√Hz | 4.4 pW/√Hz (FST) 4.1 pW/√Hz (FC) | 6.5 pW/√Hz (FST) 6.7 pW/√Hz (FC) |
| NEP (@ 20 MHz, 1550 nm) | 4.3 pW/√Hz (FST) 4.0 pW/√Hz (FC) | 4.9 pW/√Hz (FST) 4.4 pW/√Hz (FC) | 6.9 pW/√Hz |
| Common mode rejection (typ.) | 50 dB (FST) 55 dB (FC) | 45 dB (FST) 50 dB (FC) | 35 dB (FST) 45 dB (FC) |
| Max. CW common mode power | 10 mW on each photo diode |
| Low Pass Filter | Full bandwidth switchable to 20 MHz (upper cut-off frequency) |
| High pass filter (AC coupling) | DC coupling switchable to AC (10 Hz lower cut-off frequency) |
| Signal output voltage | ±1.0 V at 50 Ω load (for linear gain and low harmonic distortion), maximum ±2.0 V at 50 Ω load |
| Monitor outputs | transimpedance gain 1000 V/A, bandwidth DC - 10 MHz, output voltage 0 ... +10 V (@ ≥100 kΩ load) |
| Supply voltage / Supply current | ±15 V (±14.5 V ... ±16.5 V) -90 / +120 mA typ. |
| Case | 80 x 80 x 30.5 mm (L x W x H) Weight FC models 350 g (0.77 lbs), weight FS/FST models 410 g (0.9 lbs) |
