HCA-S-200M-SI-FC光电探测器由 Si-PIN 光电二极管以及跨阻放大器组成,用于将微弱的光学信号转换为成比例的输出电压。具有 2.0 × 10⁴ V/A固定增益,并针对200 MHz高带宽进行了优化。 FC 光纤连接器(固定兼容 FC/PC 与 FC/APC)。
一、主要特点
Si-PIN 光电二极管,有效直径 0.8 mm
带宽 直流(DC)– 200 MHz
放大器跨阻增益 2.0 × 10⁴ V/A
最大转换增益 1.1 × 10⁴ V/W @ 800 nm
光谱范围 320 – 1000 nm
也可提供永久安装的 FC 光纤输入
UNC 8-32 和 M4 螺纹孔,可安装到公制与英制标准立柱上
二、产品参数
| HCA-S-200M-SI-FC | |
|---|---|
| 增益 | |
| 跨阻增益 | 2.0 × 10⁴ V/A (@ 输出负载 50 Ω) |
| 增益精度 | ±1 % (电气) |
| 转换增益 | 1.1 × 10⁴ V/W typ. |
| 频率响应 | |
| 下限截止频率 | DC |
| 上限截止频率 (–3 dB) | 200 MHz (±10 %) |
| 增益平坦度 | ±1 dB |
| 时间响应 | |
| 上升/下降时间 (10 % – 90 %) | 1.8 ns |
| 输入 | |
| 噪声等效功率 (NEP) | 9.4 pW/√Hz (@ 800 nm, 10 MHz) |
| 光学饱和功率 | 110 µW (线性放大, @ 800 nm) |
| 输入偏置补偿范围 | ±100 µA (由偏置电位器调节) |
| 探测器 | |
| 探测器 | Si-PIN 光电二极管 |
| 有效面积 | 直径 0.8 mm |
| 光谱范围 | 320 – 1000 nm |
| 最大灵敏度 | 0.55 A/W typ. (@ 800 nm) |
| 输出 | |
| 输出电压范围 | ±1.2 V (@ 50 Ω 输出负载) |
| 最大输出电压范围 | ±1.7 V (@ 50 Ω 负载) |
| 输出阻抗 | 50 Ω (以 50 Ω 负载端接) |
| 输出噪声 | 3 mV RMS (20 mV 峰峰值) typ. |
| 光学输入连接器 | |
| FC 插座材质 | 镍银 |
| 输入 | FC 光纤连接器 |
| 电源 | |
| 电源电压 | ±15 V (±14.5 V ... ±16.5 V) |
| 电源电流 | ±50 mA |
| 外壳 | |
| 重量 | 209 g 含耦合环 |
| 材质 | AlMg4.5Mn, 镀镍 |
| 温度范围 | |
| 存储温度 | –30 °C ... + 85 °C |
| 工作温度 | 0 °C ... +60 °C |
| 绝对最大额定值 | |
| 光输入功率 (连续波) | 20 mW |
| 电源电压 | ±20 V |
偏移量可通过电位器调节。输出具有短路保护。通过 3 针 Lemo® 插座供电。设备随附配套连接器。可选配 PS-15 电源。更多信息请查阅数据手册或联系 我们。
三、数据手册
四、型号区别
HCA-S-200M-SI-FST : 1.035"-40 螺纹法兰,带内螺纹耦合环(外径 30 mm),用于自由空间应用。
兼容多种光学标准配件,并可用于各类光纤连接器适配器。
可选配:
光纤适配器 PRA-FC、PRA-FCA 与 PRA-FSMA。
HCA-S-200M-SI 采用相对较大的 0.8 mm 直径光电二极管,输入耦合要求不苛刻。但为确保接近 100% 的耦合效率,建议使用低数值孔径(NA)的标准 SM 9/125 光纤(PC 或 APC)。
HCA-S-200M-SI-FC : 固定/永久式 FC 光纤连接器,具有高耦合效率与优异的转换增益精度
五、可选配件
| 电源 | PS-15-25-L |
| USB DAQ 与控制系统 | LUCI-M |
| USB 控制接口 | LUCI-10 |
| 光纤适配器 | PRA-FC PRA-FCA PRA-FSMA AT-W1 |
| 柱适配器板 | PRA-PAP |
| 连接器 | 连接器 |
| 低噪声电缆 | CAB-LN1 |
| 低电容电缆 | CAB-SC1 |
| 射频电缆 | CAB-HF1 |
六、电路图



七、应用范围
光谱学
快速脉冲与瞬态测量
光学触发
示波器、A/D 转换器和射频(HF)锁相放大器的光学前端
八、HCA固定增益光电接收器
| Model | HCA-S-20M-SI-FST | HCA-S-200M-SI-FST HCA-S-200M-SI-FC | HCA-S-400M-SI-FST HCA-S-400M-SI-FC |
| Si-PIN photo diode | 3 mm Ø | 800 µm Ø | 800 µm Ø |
| Spectral Range | 320 - 1060 nm | 320 - 1000 nm | 320 - 1000 nm |
| Bandwidth (−3 dB) | DC - 20 MHz | DC - 200 MHz | DC - 400 MHz |
| Rise Time (10 - 90 %) | 19 ns | 1.8 ns | 1.0 ns |
| Transimpedance Gain | 1 × 105 V/A | 2 × 104 V/A | 5 × 103 V/A |
| Conversion Gain | 5.9 × 104 V/W | 1,1 × 104 V/W | 2,7 × 103 V/W |
| NEP | 4.5 pW/√Hz | 9.4 pW/√Hz | 40 pW/√Hz |
| Output Voltage | ± 1.5 V | ± 1.2 V | ± 1.0 V |
| Signal output | designed for 50 Ω load, to be terminated with 50 Ω | ||
| Model | HCA-S-20M-IN-FST | HCA-S-200M-IN-FST HCA-S-200M-IN-FC | HCA-S-400M-IN-FST HCA-S-400M-IN-FC |
| InGaAs-PIN photo diode | 500 µm Ø | 300 µm Ø (FST model) integrated ball lens (FC model) | 300 µm Ø (FST model) integrated ball lens (FC model) |
| Spectral Range | 900 - 1700 nm | 900 - 1700 nm | 900 - 1700 nm |
| Bandwidth (−3 dB) | DC - 20 MHz | DC - 200 MHz | DC - 400 MHz |
| Rise Time (10 - 90 %) | 18 ns | 1.8 ns | 1.0 ns |
| Transimpedance Gain | 1 × 105 V/A | 2 × 104 V/A | 5 × 103 V/A |
| Conversion Gain | 9,5 × 104 V/W | 1,9 × 104 V/W | 4,8 × 103 V/W |
| NEP | 3.5 pW/√Hz | 5.2 pW/√Hz | 24 pW/√Hz |
| Output Voltage | ± 1.5 V | ± 1.2 V | ± 1.0 V |
| Signal output | designed for 50 Ω load, to be terminated with 50 Ω | ||



