一、产品特征
1、InGaAs-PIN光电二极管，有效直径0.5 mm
2、超低噪声，NEP 7.5 fW/√hz
3、放大器跨阻增益1 × 1011 V/A
4、麦克斯。转换增益0.95 × 1011 V/W @ 1550 nm
5、光谱范围900 - 1700 nm
6、自由空间输入1.035"-40螺纹，或25毫米直径无螺纹
7、易于转换为光纤输入(FC和FSMA)，可选的螺钉适配器
8、UNC 8-32和M4丝锥孔安装在标准柱上，公制和英制螺纹
二、应用领域
1、荧光测量
2、近红外光谱
3、电泳
4、更换(液氮)冷却Ge光电二极管和雪崩光电二极管(APDs)
三、产品参数
| 规格参数 | 测试条件VS =±15v, TA = 25°C，输出负载阻抗1 MΩ，预热20分钟(min.推荐10分钟) |
| 增益 | 跨阻增益1.0 × 1011 V/A(@输出负载≥100 kΩ) 增益精度±1%(电) 转换增益0.95 × 1011 V/W。(@ 1550 nm，输出负载≥100 kΩ) |
频率响应 | 较低截止频率DC 上截止频率(-3 dB) 20 Hz(±20%) |
| 时间响应 | 时间上升/下降（10%-90%）18ms（±20%） |
| 输入 | 噪声等效功率(NEP) 7.5 fW/√Hz (@ 1550 nm, 1hz) 光饱和功率110 pW(用于线性放大，@ 1550 nm) |
| 探测器 | 探测器InGaAs-PIN光电二极管 活动面积Ø 0.5 mm 光谱范围900 - 1700纳米 Max。灵敏度0.95 A/W类型。(@ 1550 nm) |
| 输出 | 输出电压范围-1.6 V…+10 V(@≥100 kΩ输出负载) 偏移补偿范围±1.6 V类型。(可通过偏置电位器调节) 输出阻抗50 Ω(终止与≥100 kΩ负载) Max。输出电流25ma(防短路) 输出噪声3 mVRMS (20 mVPP)类型。(@≥100 kΩ加载，无信号上 探测器，测量带宽8 kHz) |
| 供电 | 电源电压±15 V(±14.5 V…±16.5 V) 电源电流±15ma(视操作条件而定，推荐供电能力最小±50 mA) |
